資料視頻：臺積電宣布遞件申請 赴南京設(shè)12寸晶圓廠 來源：東南衛(wèi)視

　　中新社臺北2月3日電 (記者 劉舒凌 陳悅)臺“經(jīng)濟部”投審會3日通過臺灣積體電路制造股份有限公司(臺積電)赴大陸南京設(shè)12吋晶圓廠的投資申請，該案涉及金額30億美元。

　　不過，投審會方面強調(diào)，依“‘登陸’12吋晶圓廠制程技術(shù)須落后其在臺技術(shù)1個世代以上”的規(guī)定，臺積電須在10納米制程今年量產(chǎn)后提出具體證明，經(jīng)認定通過，方能申請將臺灣相關(guān)機器設(shè)備運往南京設(shè)廠。

　　這是臺灣首件12吋晶圓廠獨資“登陸”申請案。臺灣行政當局去年9月4日公告修正“松綁”臺晶圓廠“登陸”，但仍規(guī)定赴大陸投資新設(shè)晶圓鑄造廠或購并、參股晶圓鑄造廠“不得為超過12吋晶圓鑄造”，且新設(shè)廠以核準投資3座為上限(進行所謂“總量管制”)。

　　中央社引述分析師觀察，南京廠獲準設(shè)立有助臺積電就近服務大陸客戶，有更多精力在更先進制程技術(shù)上與三星、英特爾等對手競爭，利于鞏固訂單、維持其大陸市場業(yè)績成長態(tài)勢。

　　臺積電趕在去年底(12月7日)遞件申請，這項申請案先后送到臺灣方面陸委會、“勞動部”、環(huán)保署、“金管會”證期局和銀行局、“中央銀行”外匯局、“經(jīng)濟部”工業(yè)局及技術(shù)處等諸多部會審查，并經(jīng)由產(chǎn)官學專家組成關(guān)鍵技術(shù)小組加以審查。

　　申請獲準后，臺積電稱將擇吉日開工建廠，預計2018年下半年開始生產(chǎn)16納米制程，將較臺灣廠16納米量產(chǎn)時間晚3年。

　　投審會執(zhí)行秘書張銘斌表示，此項投資，有助臺積電取得半導體市場全球領(lǐng)先優(yōu)勢地位。臺積電在2018年全球市場占有率有望由目前的55%提高至57%，大陸市場占有率將由46%提升至近50%。

　　半導體產(chǎn)業(yè)是臺灣在國際市場上最有競爭力的產(chǎn)業(yè)之一。臺積電作為全球晶圓代工廠龍頭，此次“登陸”投資引起臺灣各界廣泛關(guān)注。

　　業(yè)界看來，臺積電“登陸”投資受“一拉一推”兩大因素影響。一是大陸產(chǎn)業(yè)政策的“拉力”：目前大陸將半導體投資項目納入“十三五規(guī)劃”，臺積電在南京設(shè)廠，可搭上大陸“一帶一路”等大投資的列車。二是臺灣投資環(huán)境惡化所形成的“推力”：臺灣若不改善缺水、缺電等問題，將促使更多企業(yè)外出投資。(完)